Компьютерные технологии

Сообщение **boom** » 20 сен 2017 16:45

Western Digital инвестировала в разработчика «процессора в памяти»
Огромная инерция классических микропроцессорных архитектур не позволяет быстро вывести на рынок что-то по-настоящему новое, хотя это новое давно назрело. Объёмы обрабатываемых данных увеличились настолько, что раздельное расположение подсистем памяти превратилось в так называемую проблему «стены памяти». Пересылка данных из процессора в память и обратно стала съедать достаточно ресурсов, чтобы проектировщики начали задумываться о новых архитектурных решениях для микропроцессоров и памяти. Лидеры отрасли начали создавать собственные проекты: Micron предложила Automata Processor (процессор автоматов), HP работает над проектом Machine, Toshiba создаёт CPU с кеш-памятью STT MRAM, есть свои проекты у Intel и IBM. И, конечно же, свой путь ищут разнообразные стартапы. Некоторые оказываются небезнадёжными.

upmem.jpg

Так, созданная в 2015 году компания Upmem SAS (Гренобль, Франция) предложила собственную архитектуру процессора в памяти (processor-in-memory, PIM). Это RISC-процессор, получивший также название DPU (DRAM processing units). Конструктивно процессор DPU «размазан» по массиву памяти или, говоря иначе, он интегрирован в массив памяти. Это позволяет работать над данными не пересылая их через контроллер наружу. Данные обрабатываются в том же самом месте, где хранятся. Утверждается, что без увеличения потребления архитектура компании Upmem увеличит производительность вычислений от 10 до 25 раз.

sm.454545454.750.jpg

На днях компания Upmem SAS провела первый раунд размещения крупного пакета акций (серия A). В ходе раунда компания собрала 3 млн евро. Инвесторами выступили венчурные компании C4 Ventures, Partech Ventures, Supernova Invest и... финансовое подразделение Western Digital Capital. Других подробностей нет и пока они не нужны. Интерес Western Digital к разработке понятен без лишних размышлений. С покупкой SanDisk она стала производителем флеш-памяти, а энергонезависимая память как раз рассматривается в качестве предпочтительной для архитектур типа Upmem PIM. Актуальная флеш-память типа NAND не очень хорошо подходит для данных архитектур, но это тоже не проблема. В активе Western Digital имеются наработки и продолжается работа над памятью типа ReRAM и другими перспективными типами энергонезависимой памяти.

sm.20160809_Keynote4_WD_Sivaram - ReRAM_27.750.jpg

Слайд из презентации Western Digital на FMS

По признанию Upmem, один из партнёров компании крайне высоко оценил архитектуру processor-in-memory. К сожалению, в компании не уточнили, о чём идёт речь: об эмуляции или о FPGA. Собранные в серии A инвестиции помогут разработчикам воплотить архитектуру в настоящем кремнии и создать необходимые программные инструменты для продвижения решения в массы.

Samsung проектирует специализированные AI-чипы
Компания Samsung занимается разработкой специализированных микрочипов для систем искусственного интеллекта (AI). По крайней мере, об этом сообщает ресурс The Korea Herlad, ссылаясь на информацию, полученную от осведомлённых источников.

ai1.jpg

Как отмечается, южнокорейский гигант проектирует AI-процессоры нескольких типов. Такие решения позволят выполнять операции, связанные с искусственным интеллектом, непосредственно на устройстве пользователя — без необходимости отправки данных в сетевое облако.
Новые чипы найдут применение, в частности, в смартфонах и фаблетах. Они позволят повысить эффективность выполнения AI-операций приблизительно на 50 % по сравнению с нынешними системами, которым требуется подключение к Интернету для пересылки данных на сервер и получения результата.

Представить процессоры нового типа на коммерческом рынке компания Samsung якобы планирует в течение нескольких ближайших лет. Такие решения в числе прочего позволят вывести на качественно новый уровень работу голосовых ассистентов.
Нужно отметить, что специализированные средства для ускорения выполнения операций, связанных с искусственным интеллектом, интегрированы в мобильный процессор Kirin 970, представленный компанией Huawei в ходе недавней выставки IFA 2017. Речь идёт об инновационной архитектуре HiAI. По всей видимости, Samsung также интегрирует AI-компоненты в собственные чипы серии Exynos для мобильных устройств.

Стандарт USB 3.2 получил официальные спецификации

usb-681x383.jpg

Форум по внедрению USB (USB Implementers Forum) опубликовал окончательную версию спецификации стандарта USB 3.2.

Некоторое время назад в СМИ уже проходила информация о том, что Фокус-группа USB должна представить проект ожидаемого нового стандарта USB 3.2, который в настоящее время финализирован и опубликован. Для того чтобы внести в этот вопрос дополнительную ясность и облегчить пользователям переход к новому стандарту, мы решили повторить основные факты о нём.

В то время как в стандарте USB 3.0 или же 3.1 Gen1 была предусмотрена возможность подключения на скорости до 5 Гбит/сек, а стандарт USB 3.1 Gen2 позволял обеспечивать передачу данных на скорости в 10 Гбит/сек, новый стандарт даст возможность увеличить этот показатель ещё в два раза – до 20 Гбит/сек. Разделите это на 8 бит, и вы получите 2500 Мбит/сек, из которых необходимо вычесть кодировку и ошибки. Впрочем, есть различие, связанное с тем, что технология использует двухполосные операции, как сообщило издание tweakers.net.

Среди ключевых характеристик стандарта USB 3.2:

Двухполосные операции с использованием существующих USB-кабелей типа C.
Продолжение использования скоростей передачи данных и кодирования, принятых для существующего физического уровня SuperSpeed USB.
Незначительное обновление спецификации концентратора для улучшения производительности и гарантирования плавности переходов между одно- и двухполосными операциями.
Таким образом, если говорить простым языком, вы получаете пропускную способность в 20 Гбит/сек благодаря использованию двух полос по 10 Гбит/сек. Очевидно, вам понадобится техническая возможность для соединения хоста и клиента, совместимое с новым стандартом. Существующие USB-кабеля типа C будут совместимы с новым стандартом в случае, если они сертифицированы для поддержки SuperSpeed USB со скоростью 10 Гбит/сек. Если вы любите читать длинные тексты, к вашим услугам – полная спецификация нового стандарта 3.2 объёмом в 548 страниц, которую можно скачать по этой ссылке.

Появление на рынке первых устройств, совместимых с USB 3.2, ожидается в 2019 году.

usb-spec.jpg

Сообщение **boom** » 12 окт 2017 01:31

Western Digital объявила о прорыве в области микроволновой записи
Не столь давно мы опубликовали подробный отчёт HGST о состоянии индустрии механических жёстких дисков и в нём были упомянуты перспективные технологии, такие как термомагнитная (HAMR) и микроволновая (MAMR) запись. Суть у этих методов записи схожая и заключается она в предварительной обработке магнитной пластины перед записью, просто в первом случае предполагается использовать лазер для нагрева, а во втором — микроволновое излучение для изменения магнитных параметров. С HAMR в настоящее время имеется ряд проблем: сфокусировать луч в итоге удалось с помощью специальной плазмонной антенны, но срок службы такой «лазерной» головки пока на три?четыре порядка меньше, нежели необходимо для коммерческого применения. Но, похоже, Western Digital, владелец бренда HGST, достигла прорыва во второй технологии.

mamr2.jpg

Если верить опубликованному заявлению, разработчикам удалось решить ключевые проблемы микроволновой записи. Заявление звучит уверенно и в нём обещается создание жёстких дисков ёмкостью 40 Тбайт к 2025 году, а производство может быть налажено уже в 2019 году. Технологию MAMR Western Digital разрабатывает уже в течение восьми?девяти лет. Интересно, что в основе нового метода записи максимально используются уже имеющиеся в распоряжении WD технологии и техпроцессы, такие как технология головок Damascene. Именно это и позволяет говорить компании о столь раннем возможном начале производства дисков на основе MAMR. Казалось бы, микроволновое излучение ассоциируется исключительно с громоздкими и потребляющими много энергии магнетронами, однако в случае новой головки, разрабатываемой WD, это не так. Для генерации микроволнового пучка в MAMR будет применён спиновый нано-осциллятор (spin-torque oscillator, STO), многослойная полупроводниковая структура, использующая эффекты спиновой электроники.

wd3mamrvhamr.jpg

Похожие структуры используются в магниторезистивной памяти. Это устройство может быть совсем небольшим и, во всяком случае, более компактным, нежели сочетание лазера с плазмонной антенной в HAMR. Нагрева в случае использования микроволнового излучения нет, что исключает проблемы с термической деформацией и износом материалов головки и магнитных пластин. Плотность записи при этом может превышать 4 Тбит на квадратный дюйм — более чем в четыре раза больше классического предела плотности, составляющего 1 Тбит на квадратный дюйм. Благодаря широкому применению уже существующих технологий, диски на основе MAMR обеспечат низкую стоимость хранения данных. В сочетании с огромной ёмкостью это сделает их очень привлекательными для крупных центров хранения данных. В настоящее время в разработке данной технологии Western Digital опережает конкурентов на несколько лет, что позволит компании существенно укрепить свои позиции на рынке механических накопителей.

На 55 % лошадь: программист продемонстрировал новую технологию распознавания людей и объектов

Программист и специалист по машинному обучению 22-летний Клейтон Блайт опубликовал видео, в котором показана система, с высокой точностью определяющая людей и объекты на улицах Нью-Йорка.

Технология основана на работе нейросетей архитектуры Faster R-CNN и позволяет с высокой степенью точности определить, где на изображении находится конкретный объект.
Несмотря на заявленную высокую точность определения система все же пока дает сбои. Например, на 16-й секунде видео программа принимает идущую женщину за лошадь.

2f854ba2a1543a031100e97bf52bdba4.jpg

Бутылку молока в руке прохожего система почему-то путает с тарелкой фрисби.

283ae6bbed5803fbec7b638e9034f9d7.jpg

А манекенам в витрине пока что с 60-70-процентной вероятностью присваивают статус людей.

cb0f142e90696447d7863f6d6f7f4e09.jpg

Пользователи по-разному отреагировали на видео: кто-то сразу захотел встроить технологию в глаза, другие выразили некоторые опасение, связанные с тотальной слежкой.
Один из юзеров заметил, что технология хорошо распознает женские сумочки, и сделал предположение, что это специальная система зрения для воришек.
Нашлись также и те, кто обвинил искусственный интеллект в дискриминации людей, в которых программа увидела лишь 97 % человечности, а не 99 %, как должно быть.

Сообщение **boom** » 26 июн 2018 12:36

Imec представил технологию, которая вдвое увеличит плотность размещения транзисторов
Imec продолжает радовать разработками, открывающими путь к производству полупроводников с нормами менее 5–3 нм. Среди прочих докладов на симпозиуме VLSI Technology 2018 разработчики центра рассказали о найденной серии технологических цепочек, которая позволит выпускать комплиментарные пары полевых транзисторов с использованием технологических норм менее 3 нм (complementary FET, CFET). Процесс производства CFET по энергоэффективности и производительности транзисторов может в итоге превзойти техпроцесс FinFET применительно к технологическим нормам 3 нм. Более того, техпроцесс CFET открывает возможность уменьшить на 50 % размеры как стандартных (цифровых) ячеек, так и ячеек памяти SRAM.

CFET_vol.jpg

Слева указаны варианты строения ячеек (стандартной и SRAM), а справа — предложенная Imec комплиментарная структура из двух транзисторов
Напомним, что на использовании комплиментарных пар транзисторов базируется классические КМОП (CMOS) техпроцессы производства микросхем. Это транзисторы с разным типом проводимости (n и p), но идентичные или почти идентичные по параметрам. Разработчики Imec внесли смелое предложение создавать на кристалле комплиментарные транзисторы не рядом, а друг над другом. В предложенной Imec цепочке операций по обработке кремниевой пластины полевой транзистор n-типа (nFET) располагается над полевым транзистором p-типа (pFET).

Транзистор pFET выполнен в виде вертикального ребра (фактически FinFET), а транзистор nFET в виде вынесенной над ним наностраницы (по сути такого же ребра FinFET). Особая прелесть данной конструкции в том, что она создаётся в обычном техпроцессе, как для выпуска транзисторов FinFET. Анализ конструкции с помощью TCAD-инструментов доказывает, что производительность и потребление CFET, выпущенных с использованием 3-нм техпроцесса, превзойдёт показатели транзисторов FinFET в лучшую сторону. Тем не менее, есть проблема, с которой ещё придётся разобраться — это высокое паразитное сопротивление участка подключения истока к верхнему nFET-транзистору (происходит значительное падение напряжения Vss). Данную проблему можно решить, например, за счёт использования рутения в качестве проводника.

Что касается размера ячеек, то «цифровую» или стандартную ячейку в случае CFET удаётся свести к схеме с тремя активными рёбрами FinFET (три контактных площадки в первом слое металлизации), а ячейку SRAM — к схеме с четырьмя активными рёбрами FinFET. Современные же техпроцессы дают возможность создавать ячейку с 6 активными рёбрами и не меньше (6T). На картинке выше, поясним, показаны только активные рёбра FinFET. Рёбра-пустышки, которые разделяют активные FinFET, но не задействованы в схеме ячейки, на картинке заменены пустыми местами, но на кристалле они физически присутствуют и занимают место. «Двухэтажные» комплиментарные транзисторы позволят с пользой использовать окружающую площадь. В этом с Imec согласны партнёры по программе разработки компании GlobalFoundries, Huawei, Intel, Micron, Qualcomm, Samsung, SK Hynix, Sony Semiconductor Solutions, TOSHIBA Memory, TSMC и Western Digital.

Сообщение **boom** » 24 янв 2019 21:56

CMC Magnetics разрабатывает голографические оптические диски
В недавнем прошлом разработчики пытались разработать и внедрить технологии записи на оптических дисках с использованием голографических методов записи и чтения. Последней, казалось бы, успешной попыткой в этой области была разработка компании InPhase Technologies. Но вскоре после начала коммерческих поставок приводов и дисков ёмкостью 300 Гбайт компания обанкротилась.

80938.jpg

Повысить плотность записи на оптических дисках без мудрёной голографии только с помощью наращивания числа слоёв в составе диска и с помощью уже классического сине-фиолетового лазера как у Blu-ray сделала попытку компания Sony. Вместе с компанией Panasonic она разработала стандарт носителей Optical Disc Archive, который предполагает размещение в одном картридже 12 дисков суммарной ёмкости до 3,3 Тбайт (в последней редакции). Тем самым ёмкость одного диска немного не дотягивает до 300 Гбайт. Накопители и носители Optical Disc Archive, как предполагается, заполнят нишу так называемых систем хранения холодных данных ? информации, доступ к которой нужен крайне редко или которую вообще больше никогда не запросят.

D55U_ODC.jpg

Поскольку объём холодных данных растёт, что также может быть спровоцировано появлением платформ с элементами искусственного интеллекта, то потребность в сравнительно дешёвых носителях информации в виде оптических дисков может обнаружить в себе второе дыхание. Именно на это надеется компания CMC Magnetics, которая уже в текущем году рассчитывает вернуться к прибыльности. Спрос на традиционные носители CD и DVD падает год за годом и CMC Magnetics тяжело выживать, опираясь только на подобные диски.

odc1200re_3q_120802_02-100656536-primary.idge.jpg

Как докладывает сайт DigiTimes, на днях компания сообщила, что она занимается разработкой голографических оптических носителей. Переход на голографические носители, утверждает глава CMC Magnetics, равнозначен наращиванию числа слоёв на обычном 3–4-слойном диске до 100-слойного носителя или, условно говоря, ведёт к увеличению ёмкости до 25 раз.

press1-1.jpg

Пока же компания пытается заработать на Blu-ray носителях для записи холодных данных (возможно, по заказам Sony). Ёмкость актуальных дисков достигает 300 Гбайт. К 2020 году ёмкость носителей производитель обещает довести до 500 Гбайт. Подобные диски, как надеются в CMC, в 2019 году принесут ей от 5 % до 10 % от совокупной выручки, а в 2020 году ? до 20 %. Диски для архивирования имеют наибольшую рентабельность для компании, которая превышает 50 %. Впрочем, основная масса продукции CMC Magnetics для задач архивирования ? это сравнительно недорогие 100-Гбайт оптические носители.

Источник: http://www.digitimes.com/

Samsung первой в мире начнет продажу ноутбуков с 4К-дисплеями

samsung-640x335.jpg

Компания одной из первых перенесла технологию 4К OLED в ноутбуки и запускает производство раньше конкурентов. Продажи технической новинки стартуют уже со следующего месяца, пишет Популярная Механика.

«Дисплей Samsung будет иметь 34 млн цветов, разрешение 3846х2160 пикселей и динамический коэффициент контрастности 120 000:1. По словам разработчиков, качество и глубина изображения будут неотличимы от той картины, что воспринимает человеческий глаз», — отмечает источник.

Сообщается, что кроме Samsung своими разработками OLED-дисплеев для ноутбуков уже успели похвастаться такие производители как Dell, HP и Lenovo. Однако именно корейской фирме удалось первой запустить серийное производство. Остальные компании запустят продажи с марта.

USB-IF меняет название USB 3.1 на USB 3.2, добавляя путаницу
Борис Скуратовский - 27 Фев, 2019

usb-640x360.jpg

В USB-F в очередной раз изменили наименование USB 3/3.1. Розничным торговым сетям рекомендовано использовать в рекламных целях термин SuperSpeed USB. Однако нововведение пока не завоевало популярность.

На проходящем в Барселоне съезде операторов мобильной связи (MWC) представители Форума разработчиков USB (USB-IF) заявили об изменении названий стандартов USB 3.0 и 3.1. На панели было объявлено о решении ввести для стандартов название 3.2 GenX, что может привести к некоторой путанице.

Ранее название USB 3 было изменено на 3.1 Gen1, а теперь данный стандарт будет известен как 3.2 Gen1. Стандарт USB 3.1 ранее носил название USB 3.1 Gen2, а теперь будет называться USB 3.2 Gen2. А вот бывший USB 3.2 превратится в USB Gen2x2.

Несмотря на общий номер версии, данные стандарты очень сильно отличаются друг от друга по своим техническим характеристикам. В 3.2 Gen1 и 3.2 Gen2 используется разъём USB A/C, однако скорость передачи данных в них разная: 5 и 10 Гбит/сек соответственно. В Gen2x2 используется разъём USB-C, а скорость передачи данных равна 20 Гбит/сек.

Для информирования потребителей производителям рекомендуется использовать название SuperSpeed USB с упоминанием скорости. К примеру, USB-C будет называться SuperSpeed USB 20 Gbps (SuperSpeed USB 20 Гбит/сек). К сожалению, данные названия используются редко, поскольку пользователи привыкли к названиям серии USB 3.x.

Технология USB Fast Role Swap и безопасность
Параллельно с заявлением об изменении названий стандартов, USB-IF продемонстрировал на MWC технологию Fast Role Swap. Она позволит устройствам USB-C быстро переключаться между режимами потребителей и поставщиков энергии.

По данным ComputerBase, во время презентации использовалась USB флэшка и монитор на док-станции USB Type-C. Лэптоп заряжался через монитор. После отключения монитора, лэптоп брал на себя управление док-станцией и флэшкой памяти без перерыва в передаче данных.

В будущем использование данной технологии позволит решить некоторые из проблем, возникающих при неожиданном отключении питания. Также в организации сообщили о введении опциональной цифровой идентификации для устройств USB-C, получившей название DigiCert.

USB4 – новый стандарт на базе протокола Thunderbolt 3 со скоростью до 40 Гбит/с
Борис Скуратовский - 5 Мар, 2019

USB4-640x427.jpg

В USB Promoter Group заявили о том, что вскоре группа представит технические характеристики стандарта USB4. Новый стандарт основа на протоколе Thunderbolt от компании Intel и поддерживает целый ряд функций, среди которых возможность передачи данных на скорости до 40 Гбит/сек, интерфейсы для подключения дисплеев и подача питания. Подробные технические характеристики стандарта USB4 будут опубликованы в середине 2019 года.

Стандарт USB4 будет основан на протоколе Thunderbolt, который компания Intel передала USB Promoter Group. В новом интерфейсе будет использован разъём USB Type-C, а также сохранится обратная совместимость с интерфейсами USB 2.0, USB 3.2 и Thunderbolt 3. Новый интерфейс USB4 будет поддерживать возможность передачи данных на скорости до 40 Гбит/сек при использовании сертифицированного кабеля, позволяющего передавать данные на такой скорости. Также USB4 будет поддерживать различные протоколы дисплеев и передачу питания.

Стандарт USB4 будет официально ратифицирован в середине 2019 года. В настоящее время над финальной стадией проекта технических характеристик USB4 работает более 50 компаний.

Исходя из того, что она известно на сегодняшний день о технических характеристиках USB4, в новом стандарте будет использован протокол Thunderbolt, однако это, видимо, будет не Thunderbolt 3, поскольку функциональность интерфейса будет отличаться.

usb-1320x301.jpg

Передача протокола Thunderbolt 3 группе USB Promoter Group, по сути, выводит TB3 на основные ПК-платформы, позволяя различным компаниям интегрировать его поддержку в свою продукцию. В то же время, процессоры Ice Lake от компании Intel станут первыми процессорами с изначальной поддержкой протокола Thunderbolt 3.

«Представление технической спецификации протокола Thunderbolt является важной вехой на пути к созданию самого простого и самого универсального порта, доступного каждому, – говорит генеральный менеджер отдела клиентских подключений в компании Intel Джейсон Циллер. – Сотрудничество с USB Promoter Group позволяет нам открывать двери в мир инновационных проектов, охватывающих самый широкий спектр различных устройств, а также повышать совместимость ради более качественного обслуживания клиентов».
http://mediasat.info/2019/03/05/usb4-na ... derbolt-3/

📺Пикник ТВ👍