Накопители, модули памяти для ПК. Карты памяти. Новости.

[boom]

Производитель «памяти для космоса» отметил высочайшую надёжность памяти MRAM Everspin
01.04.2020
Помимо многих замечательных качеств, главными из которых являются устойчивость к перезаписи и длительное время удержания данных, магниторезистивная память отличается также устойчивостью к радиационному облучению. Последнее открыло перед памятью MRAM дорогу в небо и космос. Шесть лет сотрудничества компании Everspin с производителем электроники для аэрокосмической отрасли компанией CAES подтверждает это лучше всего.

EMD4E001G_Spin_Torque_angle.jpg

Компания Cobham Advanced Electronic Solutions (CAES) представила доклад по использованию памяти MRAM в условиях повышенного радиационного фона. Согласно данным CAES, чипы магниторезистивной памяти разработки компании Everspin выдерживают излучение до 1 Мрад без спонтанного появления ошибок в ячейках памяти, пробоев и случайных переключений значений (показатели SEU, SEL и SEGR).

Кроме высокой устойчивости к радиации память MRAM по технологии Everspin в виде 16-Мбит микросхем и 64-Мбит многочиповых сборок характеризуется практически неограниченным числом циклов перезаписи. На деле, конечно, это не так. Но память MRAM позволяет перезаписывать данные более 20 лет, что в среднем дольше, чем длятся космические миссии, а значит, память переживёт время жизни космического аппарата и не важно, как много раз она могла бы быть переписанной после выхода его из строя.

Также опытная эксплуатация и экстраполяция результатов даёт понять, что данные в памяти MRAM могут без изменения храниться свыше 20 лет при температуре в диапазоне от –40 °C +105 °C. Следует отметить, что речь идёт о микросхемах MRAM с технологическими нормами 180 нм, которые по заказу CAES выпускает компания TSMC. Для ячейки MRAM с меньшими технологическими нормами эти характеристики могут быть несколько хуже.

Клиентами CAES на память MRAM являются около 70 компаний, которые создали 144 разработки на основе этой технологии хранения данных. Для всех них и для индустрии было бы желательно повысить плотность записи в чипах MRAM. Это позволит новая технология STT-MRAM с записью в ячейку с помощью переноса момента спина электронов. Компания Everspin на линиях GlobalFoundries начала выпуск 1-Гбит 28-нм чипов STT-MRAM и планирует снизить технологические нормы производства до 12 нм. Впрочем, памяти STT-MRAM ещё предстоит пройти проверку космосом.

[MAXSIMUS]

Обзор SSD-накопителя Patriot P300 (256ГБ)

Многие современные материнские платы оснащаются разъемом m.2, что позволяет подключать NVME-накопители и экономить пространство внутри корпуса.
Для установки операционной системы и пары-тройки игр сейчас вполне хватит небольшого накопителя.

К примеру, можно установить накопитель Patriot P300, объемом всего 256ГБ. О нем я подробно расскажу в этом обзоре.

Упаковка и внешний вид
Как и большинство подобных устройств, накопитель упакован в небольшой блистер. Производитель обещает нам высокое быстродействие вплоть до 2100 МБ/сек.

К сожалению, производитель, по неизвестной науке причине, решил заклеить все микросхемы большой гарантийной наклейкой. Это выглядит немного странно, учитывая, что между припаянными чипами довольно большое расстояние.


Технические характеристики
Параметр

Значение

Объем накопителя 256ГБ
Физический интерфейс PCI-E 3.x x4
Тип чипов памяти NAND
Количество бит на ячейку 3 бит TLC
Структура памяти 3D NAND
Максимальная скорость последовательной записи 1100 Мбайт/сек
Максимальная скорость последовательного чтения 1700 Мбайт/сек
TBW (Объем записанных данных) 80ТБ
Форм-фактор 2280, ключ M
Гарантия 3 года
Дополнительные характеристики можно посмотреть на сайте производителя или на странице товара на сайте ДНС.

Очень странно, но ни на сайте ДНС, ни на сайте производителя я не нашел упоминания об используемом контроллере(написано буквально «Built with the latest PCIe 3 x 4 controller»). Либо это какая-то сверхсекретная информация, либо производитель просто меняет используемые в данной модели комплектующие.

Зато производителем заявлена поддержка технологии HMB (Host Memory Buffer). Эта технология позволяет использовать в качестве буфера не отдельную микросхему DRAM, а часть оперативной памяти компьютера, ускоряя таким образом доступ к часто используемым данным, что должно положительно сказаться на производительности.

Для определения контроллера я воспользовался утилитами от Вадима Очкина. В данном экземпляре оказался установлен контроллер PS5013-E13TI от компании Phison. Если кому-то интересен его даташит, его можно скачать на сайте Phison.

Контроллер имеет 2 ядра и может работать с четырьмя потоками данных одновременно.

Ниже приведен скрин с результатами работы утилиты.

В накопителе установлена TLC память от YMTC (Yangtze Memory Technologies Co.) - крупного китайского производителя флеш-памяти. Как видно, 70 ячеек оказались забракованными уже на этапе тестирования.

Также меня немного смутил ресурс в 80 TBW. Маловато будет.

Тестирование накопителя
Тестировать SSD я буду на следующей системе:

материнская плата Asrosk Z590M Pro4
процессор Intel Core i7-11700
память Kingston HyperX KHX3733C19D4/8GX (2x8 ГБ)
видеокарта MSI GT1030 2GB

C помощью утилиты CrystalDiskInfo смотрим данные S.M.A.R.T.

Информации о 70-ти неисправных ячейках нет. Производитель решил не тревожить спокойствие пользователей.

Объем свободного пространства после форматирования — 238 ГБ.

Далее приступим непосредственно к тестам.

AIDA64

Поскольку скорости чтения на пустых накопителях часто выше реальных, я проводил тесты на чтение на заполненном на 70% накопителе.

Как видно, на заполненном данными участке (большей его части) скорость была на уровне 1550 МБ/сек, а в начале диска - еще выше, вероятно за счет кэширования. Ну, а на пустом участке скорость выросла до 3000 МБ/сек (это, по сути, скорость самого контроллера). Так что указанная в спецификации скорость чтения в 1700 МБ/сек выглядит вполне реальной при чтении относительно небольших объемов данных.

Скорость случайного чтения плавает в диапазоне 1400-2700 МБ/сек, выходя в среднем на уровень 1866 МБ/сек. Зависимость от заполненности диска данными отсутствует.

Среднее время доступа на разных участках накопителя не отличается и составляет в среднем 0,12 мс.

Теперь проверим скорость линейной записи данных. Контроллер накопителя полагается на SLC-кэш для поддержания высокой скорости записи (около 1050 МБ/сек). Однако, он не использует под SLC-кэш все доступное пространство, а только 30% объема накопителя. Это видно по тому, как резко снижается скорость при заполнении 10% объема диска (на физическом уровне при этом занято 30% объема — один бит на ячейку вместо 3-х).

Далее контроллер работает с флеш-памятью в режиме TLC и скорость снижается до 250 МБ/сек. Лишь в самом конце теста, при заполнении диска на 93% начинаются серьезные просадки производительности. Впрочем, в реальности такое будет встречаться нечасто (если не забивать диск под завязку).

Скорость случайной записи «плавает» в пределах 1000-1200 МБ/сек. Вполне неплохой показатель.

Среднее время доступа при записи составило 0,04 мс. Также хороший показатель.

CrystalDiskMark

Эта тестовая утилита измеряет скорость на тестовом файле, размер которого можно явно указать. Я проводил измерения с файлом данных в 1GiB (гибибайт) и 16GiB. Объем заполнения накопителя тоже был разным - 0% и 70%.

На пустом накопителе скорости линейного чтения и записи были максимальными и почти соответствовали декларируемым характеристикам.

В то же время, нетрудно заметить, что при большем размере тестового файла скорости несколько уменьшились.

На заполненном на 70% накопителе скорости с использованием файла в 1GiB почти не изменились, а вот на большом файле скорости записи просели уже довольно заметно.

SLC-кэширование предполагает наличие достаточного пространства для эффективной работы. Это необходимо учитывать при использовании накопителей с DRAM-less контроллерами.

Запись больших файлов

Для проверки скорости записи на SSD в реальных условиях я подготовил тестовый файл с несжимаемыми данными объемом около 30 ГБ.

На пустой диск большая часть файла записалась со скоростью 1100 МБ/сек, лишь в конце упав до 216 МБ/сек.

Невероятно, но факт: запись на заполненный на 70% накопитель прошла по такому же сценарию.

Контроллер диска неплохо справляется со своими обязанностями.

Обработка команды TRIM
Далее проверим как накопитель реагирует на удаление больших объемов данных. После удаления данных операционная система отправляет накопителю команду TRIM. В этот момент происходит стирание удаленных данных и подготовка ячеек к записи новой информации.

Для проверки реакции диска на удаление больших файлов в процессе проведения теста на скорость чтения в AIDA64 я удалил несколько больших файлов общим объемом около 86ГБ. Предварительно диск был заполнен данными на 70%.

В момент удаления (точка 1 на графике) скорость чтения просела до 916 МБ/сек на пару секунд (отличный показатель). Далее на освободившемся пространстве (точка 2) скорость повысилась до 3000 МБ/сек, что говорит о том, что команда TRIM была выполнена успешно.

Таким образом, при удалении информации с накопителя вы не заметите изменений в скорости работы.

Температура накопителя
Датчик температуры у накопителя вполне рабочий и температуру контроллера показывает довольно точно. Так, в простое датчик показывает 38 градусов, фактически — 42ºС (измерения проводил электронным термометром).

При записи больших объемов данных SSD довольно быстро нагревается до 60-61ºС. Показания датчика в этот момент были — 59ºС.

При чтении накопитель нагревается незначительно — примерно до 45 градусов (43ºС по показаниям датчика).

В принципе, дополнительный радиатор данному накопителю не помешает.

Выводы
Patriot P300 – неплохой бюджетный накопитель, который вполне можно использовать в качестве системного диска. Но вот об установке радиатора все-таки стоит подумать.

[Deputy Admin]

Оперативная память заметно подешевеет в 2022 году

Аналитическая компания TrendForce поделилась прогнозом касательно стоимости оперативной памяти на ближайшие кварталы. По её данным, цены на ОЗУ начнут снижаться уже в четвёртом квартале этого года, а ощутимого падения стоит ожидать в следующем году.

TrendForce сообщает, что три крупнейших поставщика чипов памяти DRAM, компании Samsung, SK hynix и Micron, увеличат объёмы поставок на 17,9 % в следующем году. При этом спрос на ОЗУ вырастет на 16,3 %. Стоит отметить, что даже на текущий момент запасы оперативной памяти достаточно велики, так что главным фактором, способствующим снижению цен, станет отставание спроса от предложения.

Поскольку в первой половине текущего года клиенты увеличили объёмы закупок DRAM в ответ на сбои в цепочке поставок, производители DRAM смогли продемонстрировать показатели отгрузки лучше ожидаемых и значительно сократить свои запасы. Эти поставщики сейчас настроены оптимистично по поводу роста спроса на DRAM, вызванного возрождающимся серверным рынком.

Ожидается, что Samsung, как ведущий производитель DRAM, продемонстрирует самые быстрые темпы роста. Предполагается, что в 2022 году компания поставит на 19,6 % больше чипов памяти, чем в этом году. Что касается SK hynix, ожидается, что компания нарастит объёмы поставок на 17,7 %. Для Micron аналитики прогнозируют рост на 16,3 % в 2022 году. Что касается тайваньских поставщиков, ожидается, что и они внесут ограниченный вклад в рост рынка DRAM в следующем году.

Спрос на модули DRAM, по словам аналитиков, вырастет на 16,3 % в 2022 году. Крупнейшими потребителями чипов DRAM являются производители смартфонов, серверов и ноутбуков. Выпуск продуктов всех трёх категорий ограничен дефицитом других компонентов, а это значит, что стремительный рост спроса на чипы DRAM маловероятен. TrendForce прогнозирует, что в следующем году спрос на DRAM среди производителей смартфонов вырастет на 3,5 %. Этот показатель свидетельствует о довольно вялой динамике, особенно если учесть, что в предыдущие годы рост составлял не менее 20 %.

Предполагается, что в 2022 году доходы производителей DRAM останутся на прежнем уровне, поскольку рост поставок компенсирует общее снижение цен. Что касается этого года, аналитики прогнозируют, что общий годовой доход отрасли превысит $90 миллиардов.