Накопители, модули памяти для ПК. Карты памяти. Новости.

Новости компьютерного софта, железа.

Модераторы: Administrator, KOSTEY, boom, suen, Официальный представитель, Модераторы

Аватара пользователя
boom
Сообщения: 8857
Зарегистрирован: 07 мар 2012 16:14
Пол: Мужской
Страна:: Украина
Имя: Сергей
Благодарил (а): 33 раза
Поблагодарили: 34 раза

G.SKILL представила комплект памяти DDR4-4333 для мощных ПК
Компания G.SKILL анонсировала «экстремальный» комплект оперативной памяти DDR4-4333, вошедший в семейство изделий под названием Trident Z.
gs2.jpg
Модули функционируют на частоте 4333 МГц при напряжении 1,4 В. Тайминги — CL19-19-19-39. Набор включает два модуля ёмкостью 8 Гбайт, что в сумме даёт 16 Гбайт высокоскоростной оперативной памяти. Утверждается, что это первый на рынке комплект DDR4 с подобными характеристиками.
Память предназначена для использования в мощных игровых компьютерах, а также в системах для энтузиастов. Цена и сроки начала продаж не раскрываются.
gs1.jpg
Кроме того, компания G.SKILL сообщила о проведении успешного тестирования памяти DDR4 на частоте 4500 МГц. Эксперимент проводился на платформе с материнской платой ASUS ROG Maximus IX Apex и процессором Intel Core i5-7600K (Core седьмого поколения).
Добавим, что недавно был установлен новый рекорд разгона памяти DDR4. Используя жидкий азот, системную плату ASRock Z170M OC Formula, модули Teamgroup Tforce DDR4 и процессор Intel Core i7-7700K, энтузиасты смогли разогнать память до 5280 МГц.
Источник:https://3dnews.ru/950787
Приглашаем Вас зарегистрироваться для качественного просмотра каналов через шаринг.
Sat Biling-качественный биллинг плати только за время просмотра без абон платы!
Аватара пользователя
boom
Сообщения: 8857
Зарегистрирован: 07 мар 2012 16:14
Пол: Мужской
Страна:: Украина
Имя: Сергей
Благодарил (а): 33 раза
Поблагодарили: 34 раза

LITEON выпустила новые SSD-накопители PH5
Компания LITEON когда-то славилась недорогими, но достаточно надёжными пишущими приводами CD-R/DVD-R, но эра этих устройств практически подошла к концу и сейчас LITEON успешно выпускает недорогие серии твердотельных накопителей. Не столь давно она представила серию CV5 на базе планарной TLC NAND, а сейчас в производство пошла новая серия PH5.
LITEON-0.jpg
Новые накопители отличаются толщиной всего 7 мм и предлагаются пока только в двух ёмкостях — 120 и 240 Гбайт. В них используется TLC NAND производства Toshiba. Это не могло не сказаться на скоростных характеристиках: если линейные скорости у старшей модели составляют вполне приличные 550 Мбайт/с на чтение и 490 Мбайт/с на запись, то скорости на случайных операциях, измеряемые почему-то в мегабайтах в секунду, составляют лишь 280 и 330 Мбайт/с соответственно. У младшей модели скорость случайного чтения и вовсе равна 170 Мбайт/с.
LITEON-4.jpg
Таким образом, перед нами накопители начального уровня. Впрочем, они поддерживают TRIM, SMART, NCQ, ATAPI-8. О продвинутых методах кодирования не сказано ничего, но заявлены 1,5 миллиона часов наработки на отказ и трёхлетняя гарантия производителя. Габариты новых накопителей LITEON стандартны для любого устройства формата 2,5?, разве что они отличаются толщиной 7 мм и прекрасно войдут туда, куда уже не войдут накопители более старого стандарта с толщиной корпуса 9,5 мм.
Источник: https://3dnews.ru/950811
Приглашаем Вас зарегистрироваться для качественного просмотра каналов через шаринг.
Sat Biling-качественный биллинг плати только за время просмотра без абон платы!
Аватара пользователя
boom
Сообщения: 8857
Зарегистрирован: 07 мар 2012 16:14
Пол: Мужской
Страна:: Украина
Имя: Сергей
Благодарил (а): 33 раза
Поблагодарили: 34 раза

SK Hynix продемонстрировала первые пластины GDDR6
О новом поколении памяти GDDR мы писали не так давно. Компания SK Hynix, один из ведущих производителей DRAM-устройств в мире, заявила, что массово GDDR6, а именно такой порядковый номер получило очередное поколение графической видеопамяти, будет производиться уже к началу следующего, 2018 года. Похоже, руководство SK Hynix состоит из реалистов — на конференции GTC 2017, проходящей на этой неделе, компания продемонстрировала первые кремниевые пластины с кристаллами GDDR6.
SK-Hynix-GDDR6-1.jpg
Речь идёт о вполне рабочих образцах, а не о муляжах. Первые микросхемы GDDR6 имеют ёмкость 8 Гбит (1 Гбайт), но в документации упоминаются модели и ёмкостью 16 Гбит (2 Гбайт). Так же, как и в случае с GDDR5X, речь идёт о скоростях выше, нежели у текущего поколения GDDR5. На сегодня быстрейшие чипы GDDR5X работают на скорости до 12 Гбит/с (это Micron MT58K256M321JA-120), но самый быстрый вариант GDDR6 будет быстрее ещё на 4 Гбит/с и, таким образом, станет ровно вдвое быстрее массовых микросхем GDDR5.
SK-Hynix-GDDR6-4.jpg
Достаточно простой пример: если будущий аналог GeForce GTX 1070 получит память GDDR6, то в нехватке ПСП его обвинить будет уже нельзя — этот показатель достигнет 512 Гбайт/с против имеющихся на сегодня 256 Гбайт/с. Такие цифры ранее демонстрировала только многослойная память типа HBM, с производством которой имеются свои проблемы — сложность, высокая себестоимость, необходимость интеграции с основным кристаллом посредством хрупкой подложки (т. н. интерпозер). Впрочем, если даже будущие карты серий GeForce GTX 2060 и 2070 получат более медленную версию GDDR6, пропускная способность видеопамяти при 256-битной шине доступа останется достаточно высокой.
SK-Hynix-GDDR6-3.jpg
И NVIDIA не является единственным разработчиком графических решений, заинтересованным в скорейшем появлении на рынке новой версии GDDR — графическое подразделение AMD тоже, вероятнее всего, построит будущие решения среднего класса с использованием GDDR6 по причинам, упомянутым выше. Память HBM2, таким образом, какое-то время ещё останется уделом дорогих флагманских моделей и решений для рынка HPC.
Источник: https://3dnews.ru/952029
Приглашаем Вас зарегистрироваться для качественного просмотра каналов через шаринг.
Sat Biling-качественный биллинг плати только за время просмотра без абон платы!
Аватара пользователя
boom
Сообщения: 8857
Зарегистрирован: 07 мар 2012 16:14
Пол: Мужской
Страна:: Украина
Имя: Сергей
Благодарил (а): 33 раза
Поблагодарили: 34 раза

SK Hynix разрабатывает 96- и 128-слойную 3D NAND
С подачи компании Samsung флеш-память начала расти ввысь, увеличивая ёмкость за счёт наращивания числа слоёв при неизменной (почти) площади кристалла. Сегодня Samsung и Toshiba освоили массовое производство 64-слойной памяти 3D NAND. Следующим шагом, вероятно, станет 80-слойная память, если опираться на ранее выбранный компаниями шаг наращивания числа слоёв от поколения к поколению. Также каждая из них успела сообщить, что к 2020 году они смогут выпускать 1-Тбит 100-слойные микросхемы 3D NAND. О подобных среднесрочных перспективах молчала только компания SK Hynix, но на днях наши коллеги с сайта Tom's Hardware прояснили ситуацию с перспективными планами этого южнокорейского производителя.
Изображение
Сообщается, что SK Hynix последовательно перейдёт на выпуск 512-Гбит 96-слойной 3D NAND, а затем на производство 1-Тбит 128-слойной флеш-памяти. Произойдёт это через несколько лет, хотя перспективы появления 128-Гбайт кристалла энергонезависимой памяти впечатляют даже сейчас. Это означает появление относительно доступных 1-Тбайт SSD и общее увеличение производительности ноутбуков и настольных систем.
Изображение
В настоящий момент компания SK Hynix готовит производство к массовому выпуску 256-Гбит 72-слойной 3D NAND TLC. Выпуск этой продукции намечен на вторую половину года. Старт массового производства 72-слойной памяти компания обещала начать ещё весной, но этого, к сожалению, не произошло. Тем самым появились опасения, что SK Hynix также не выполнит другое обещание — начать массовый выпуск 512-Гбит 72-слойной памяти в конце текущего года. Можно предположить, что в конце года нам сообщат лишь о разработке технологии выпуска этих микросхем, а массовое производство начнётся весной.
Изображение
Кстати, 96-слойная память также заявлена в виде 512-Гбит решений, что ставит под сомнение целесообразность налаживания выпуска 512-Гбит 72-слойной 3D NAND. Интересно, означает ли это, что выпуск 96-слойной 3D NAND компания SK Hynix сможет начать скорее раньше, чем позже?
Приглашаем Вас зарегистрироваться для качественного просмотра каналов через шаринг.
Sat Biling-качественный биллинг плати только за время просмотра без абон платы!
Аватара пользователя
boom
Сообщения: 8857
Зарегистрирован: 07 мар 2012 16:14
Пол: Мужской
Страна:: Украина
Имя: Сергей
Благодарил (а): 33 раза
Поблагодарили: 34 раза

Память DDR4 удалось разогнать до эффективной частоты 5500 МГц — это новый мировой рекорд
04e3977821c3.jpg
Компания G.Skill, хорошо известная в кругу энтузиастов благодаря своей быстрой и эффектной памяти, ориентированной на оверлокеров, с гордостью сообщила о новом мировом рекорде разгона оперативной памяти DDR4, установленном, естественно, при помощи ее модулей. Говоря более конкретно, используя жидкий азот, одиночный модуль памяти G.Skill (Trident Z RGB DDR4) на чипах DDR4 плотностью 8 Гбит производства Samsung удалось разогнать до знаковой отметки в 2750 (5500) МГц.
5c8ea4383234.jpg
Рекорд был утвержден HWBot, и теперь занимает первую строчку рейтинга разгона оперативной памяти.
11ad30394766.jpg
Автор рекорда – известный тайваньский мастер экстремального разгона Toppc. Разгон происходил на материнской плате MSI X299 GAMING PRO CARBON AC, в которую был установлен недавно вышедший процессор Intel Core i7-7740K (Kaby Lake-X) с одним активным ядром из четырех, частота которого была повышена до 1064,46 МГц (использовалось сочетание 133,06 МГц по шине и множитель х8), и включенной технологией Hyper-Threading.
2cbukj.png
Кстати, самого производителя G.Skill есть за что хвалить, ведь именно эта марка использовалась в пятнадцати из двадцати лучших результатов разгона.
tsytsy.png
Добавим, что в прошлом году незадолго до выставки Computex 2016 тайванец Toppc первым взял психологически важный рубеж в 5000 МГц. Тогда, кстати, тоже использовалась память G.Skill Trident Z DDR4, разгонять которую помогали материнская плата MSI Z170I Gaming Pro AC с процессором Intel Core i5-6600K и жидкий азот.

Интересно, долго ли продержится новый рекорд и когда будет взята планка в 6000 МГц?
Приглашаем Вас зарегистрироваться для качественного просмотра каналов через шаринг.
Sat Biling-качественный биллинг плати только за время просмотра без абон платы!
Аватара пользователя
boom
Сообщения: 8857
Зарегистрирован: 07 мар 2012 16:14
Пол: Мужской
Страна:: Украина
Имя: Сергей
Благодарил (а): 33 раза
Поблагодарили: 34 раза

Toshiba представила жёсткие диски AL14SX со скоростью вращения шпинделя 15 000 об/мин
Toshiba Corporation's Storage & Electronic Devices Solutions Company анонсировала жёсткие диски AL14SX Series, предназначенные для использования в системах корпоративного класса.
to1.jpg
Новые устройства хранения данных выполнены в 2,5-дюймовом форм-факторе. Скорость вращения шпинделя составляет 15 000 оборотов в минуту. Таким образом, винчестеры подходят для установки в высокопроизводительные серверы и системы с большой интенсивностью чтения/записи данных.

Для подключения применяется Serial Attached SCSI (SAS) — последовательный компьютерный интерфейс, обеспечивающий пропускную способность до 12 Гбит/с.

В серию AL14SX вошли жёсткие диски вместимостью 300, 600 и 900 Гбайт. Пробные поставки устройств уже начались, массовое производство стартует в ближайшее время.
to2.jpg
Нужно отметить, что в семействе AL14SX Series имеются модели с поддержкой технологии Sanitize Instant Erase (SIE, полное мгновенное удаление данных). C помощью этой функции можно защитить данные от непреднамеренного раскрытия в случае перемещения жёстких дисков в другие системы или за пределы центра обработки данных.

О цене новинок пока, к сожалению, ничего не сообщается.
Приглашаем Вас зарегистрироваться для качественного просмотра каналов через шаринг.
Sat Biling-качественный биллинг плати только за время просмотра без абон платы!
Аватара пользователя
boom
Сообщения: 8857
Зарегистрирован: 07 мар 2012 16:14
Пол: Мужской
Страна:: Украина
Имя: Сергей
Благодарил (а): 33 раза
Поблагодарили: 34 раза

ReRAM 4DS такая же быстрая, как DRAM
Молодая австралийская компания 4DS Memory Limited продолжает совершенствовать энергонезависимую память типа ReRAM (резистивную с произвольным доступом). К сегодняшнему дню представлено достаточно много вариантов резистивной памяти. Некоторые даже склонны видеть ReRAM в памяти Intel 3D XPoint, хотя последняя использует ячейку с изменяемым фазовым состоянием вещества.
Большинство версий ReRAM, если мы говорим о ячейке с изменяемым сопротивлением, опираются на такое явление, как обратимое создание в структуре рабочего слоя ячейки устойчивых токопроводящих нитей из ионов меди, серебра или других металлов. Ячейка ReRAM компании 4DS Memory работает по другому принципу. Она полностью меняет своё сопротивление под воздействием тока сразу во всём рабочем слое. Технология так и называется «Interface Switching ReRAM», а запатентованная ячейка носит название MOHJO (Metal Oxide Hetero Junction, металл оксидный переход с противоположными состояниями).
Crossbar-CMOS-080113.jpg
Общая проблема памяти ReRAM, утверждают в компании 4DS Memory, заключается в слишком больших задержках в режимах чтения. Это не позволяет ReRAM стать полноценным заменителем памяти типа DRAM и привнести в работу оперативной памяти энергонезависимость. Суть проблемы в том, что образование токопроводящих нитей в ячейке ReRAM несколько непредсказуемо, что связано с неоднородностями в материале рабочего слоя. Утрируя, всегда что-то может пойти не так. Во-первых, для гарантированного образования ионизированных каналов потребуется увеличить рабочий ток. Во-вторых, существенно усложнить механизмы коррекции ошибок. Последнее ведёт к существенным задержкам в процессе восстановления данных.
4ds_01.jpg
Память 4DS ReRAM свободна от «случайностей» в процессе работы с ячейками памяти. Рабочий слой ячейки 4DS полностью переключается из одного состояния в другое и не зависит от возможных неоднородностей. Это устраняет необходимость в корректировке рабочих токов (уменьшает разброс параметров) и ведёт к очень простому механизму коррекции ошибок без заметных задержек. Испытания показали, что по скорости работы память 4DS ReRAM приближается к скорости работы оперативной памяти DRAM.
image1_1498072518.png
И что нам с этой разработки малоизвестной австралийской компании, спросят читатели? Дело в том, что с компанией 4DS Memory несколько лет подряд тесно работает подразделение Hitachi GST компании Western Digital. Более того, между Hitachi GST и 4DS Memory заключено стратегическое соглашение о партнёрстве, что позволяет рассчитывать на относительно скорое появление ReRAM в виде коммерческих продуктов. Произойдёт это не завтра, но в течение трёх–пяти лет можно ожидать появления первых продуктов на основе ReRAM.
Приглашаем Вас зарегистрироваться для качественного просмотра каналов через шаринг.
Sat Biling-качественный биллинг плати только за время просмотра без абон платы!
Аватара пользователя
boom
Сообщения: 8857
Зарегистрирован: 07 мар 2012 16:14
Пол: Мужской
Страна:: Украина
Имя: Сергей
Благодарил (а): 33 раза
Поблагодарили: 34 раза

G.SKILL рассказала о модулях памяти DDR4 для платформы Intel X299 HEDT
Компания G.SKILL International Enterprise раскрыла спецификации модулей оперативной памяти DDR4 для аппаратной платформы Intel X299 HEDT.
gs1.jpg
Решения предназначены для использования в системах на основе процессоров Intel Core X-Series и материнских плат с набором логики X299. О некоторых таких изделиях можно узнать в нашем материале.
Итак, сообщается, что для платформы Intel X299 HEDT будут выпущены комплекты из двух модулей DDR4-4400 объёмом 8 Гбайт каждый. Тайминги — CL19-19-19-39. Отмечается, что новые модули войдут в серии Trident Z RGB и Trident Z Black.
Кроме того, G.SKILL предложит ряд наборов памяти в конфигурации 4 ? 8 Гбайт, 8 ? 8 Гбайт, 4 ? 16 Гбайт и 8 ? 16 Гбайт. Частота таких решений варьируется от 3600 до 4200 МГц. Напряжение питания составляет 1,35–1,40 В. С таймингами можно ознакомиться в следующей таблице:
gs2.jpg
Добавим, что компания G.SKILL недавно объявила о том, что её модули оперативной памяти позволили установить новый рекорд разгона DDR4: достигнута частота в 5500 МГц. Разгону подвергся единственный модуль Trident Z RGB DDR4 ёмкостью 8 Гбайт. В ходе эксперимента для охлаждения использовался жидкий азот.
Приглашаем Вас зарегистрироваться для качественного просмотра каналов через шаринг.
Sat Biling-качественный биллинг плати только за время просмотра без абон платы!
Аватара пользователя
boom
Сообщения: 8857
Зарегистрирован: 07 мар 2012 16:14
Пол: Мужской
Страна:: Украина
Имя: Сергей
Благодарил (а): 33 раза
Поблагодарили: 34 раза

Micron сменила убыток на прибыль в $1,7 млрд благодаря дорожающей DRAM-памяти
Компания Micron Technology вернулась к большой прибыли благодаря растущим ценам на DRAM-память, которая пользуется всё более высоким спросом со стороны производителей смартфонов и оборудования для облачных дата-центров.
В третьем финансовом квартале, завершившемся 1 июня 2017 года, Micron получила чистую прибыль в размере $1,65 млрд, тогда как годом ранее имели место равные $215 млн чистые убытки. Выручка компании подскочила вдвое, достигнув $5,57 млрд.
sm.azsdre-3.750.jpg
Без учёта ряда нерегулярных расходов и доходов (на скорректированной основе) прибыль Micron составила $1,62 на акцию, в то время как опрошенные Thomson Reuters I/B/E/S аналитики прогнозировали показатель на уровне $1,51 при выручке в $5,41 млрд.
Комментируя квартальную отчётность, генеральный директор Micron Санджай Мехротра (Sanjay Mehrotra) отметил, что компания ожидает сильные показатели в 2018 финансовом году благодаря позитивным тенденциям на рынках дата-центров и мобильных устройств. Выручка Micron от клиентов–поставщиков облачных услуг подскочила более чем в четыре раза, заявил топ-менеджер.
sm.thumbnail_1498805531.750.jpg
Растущий спрос на память, которую производит Micron и конкуренты, порождает дефицит, что, в свою очередь, приводит к росту цен. В марте–мае 2017 года чипы оперативной памяти (DRAM), которые приносят американской компании более 60 % доходов, подорожали на 14 %, что также положительно сказалось на финансовых результатах вендора.
Приглашаем Вас зарегистрироваться для качественного просмотра каналов через шаринг.
Sat Biling-качественный биллинг плати только за время просмотра без абон платы!
Аватара пользователя
boom
Сообщения: 8857
Зарегистрирован: 07 мар 2012 16:14
Пол: Мужской
Страна:: Украина
Имя: Сергей
Благодарил (а): 33 раза
Поблагодарили: 34 раза

Colorful представила твердотельные накопители в форматах М.2 и 2,5 дюйма
Компания Colorful анонсировала твердотельные (SSD) устройства хранения данных серий CN600, CN500 и SL500, которые рассчитаны на массовый рынок.
cf1.jpg
Решения семейства CN600 выполнены в форм-факторе M.2 2280. Говорится об использовании контроллера Realtek RTS5760, рассчитанного на работу по шине PCI Express 3.0 x2. Применены микрочипы флеш-памяти TLC NAND. Заявленная скорость чтения информации достигает 800 Мбайт/с, скорость записи — 700 Мбайт/с. Предусмотрен охлаждающий радиатор.
cf2.jpg
Изделия серии CN500 также имеют типоразмер M.2 2280. Но при этом применён контроллер Silicon Motion SM2246EN. Основой служат микрочипы MLC NAND. Скорость чтения и записи данных достигает соответственно 530 и 250 Мбайт/с.
cf3.jpg
Наконец, накопители SL500 выполнены в 2,5-дюймовом форм-факторе: толщина корпуса составляет 7 мм. Использованы контроллер Silicon Motion SM2256 и микрочипы флеш-памяти TLC NAND. Скорость чтения информации достигает 530 Мбайт/с, скорость записи — 450 Мбайт/с. Для подключения к компьютеру служит стандартный интерфейс Serial ATA 3.0 с пропускной способностью до 6 Гбит/с.
cf4.jpg
Все накопители выпускаются в версиях вместимостью до 240 Гбайт. Информации о цене новинок пока, к сожалению, нет.
Приглашаем Вас зарегистрироваться для качественного просмотра каналов через шаринг.
Sat Biling-качественный биллинг плати только за время просмотра без абон платы!
Ответить

Вернуться в «Новости компьютерного железа»

  • Информация